IBM 和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣布了新结构晶体管“VTFET（垂直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。

　　半导体中，晶体管是横向排列，电流横向流动，但在 VTFET 中，晶体管是纵向形成的，电流也纵向流动。采用这样的结构，与目前主流的小型化FinFET（Fin Field-Effect Transistor）相比，有望实现两倍的性能或降低85%的功耗。随着VTFET的实现，两家公司都将实现一款无需充电即可持续运行一周以上的智能手机，并且能够以更少的电力进行加密货币挖掘和数据加密等复杂处理，并减少二氧化碳排放。 . 此外，可以以更低的功率操作在 IoT（物联网）末端运行的设备。IBM和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣布了新结构晶体管“VTFET（垂直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。