伴随着人工智能、物联网、云计算等诸多高新技术的崛起，芯片作为集多种前沿技术于一身的产物，也成为各个国家竞争的焦点。在以华为、长江存储、长鑫科技为代表的中国芯片崛起之后，严重威胁到了美国在全球科技产业的领导地位的同时，也使得包括美光、德州仪器、博通在内众多芯片厂商的利润出现了大规模的下滑。

　　因此美国采取了包括断供、禁售、黑名单等多种手段开始针对华为、长江存储等中国科技企业。与此同时国内也开始大规模推广和支持芯片自主研发，不时也有芯片突破的消息传来。但是自2019年华为遭遇制裁开始，到今天已经过去了4年时间，芯片制程不但没有取得重要突破，反而中芯国际从官网上撤下了14nm制程的相关信息。

　　在中国芯片止步不前的同时，没想到美国却再次传来芯片技术取得突破的消息——近日多家媒体报道，美国麻省理工学院(MIT)研究团队带来了一种全新的芯片技术，一种基于二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管，这一技术也有望帮助美国芯片突破1nm制程的桎梏。而这一技术的主要贡献者是一名年仅24岁的华裔——朱佳迪。

　　众所周知传统芯片使用的原材料是硅，因此也被称为硅基芯片。硅原子的原子序数为14，其直径为0.117nm。随着芯片制程的推进，当制程接近1nm之后将会产生量子隧穿效应，此时的电子将无法表示为二进制的“0”和“1”两种状态，而是一直呈现为“1”的状态。也就是失去了“半导体”的特性而变成“全导体”，自然也就无法制造芯片。

　　朱佳迪的最新研究成果则可以将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，并通过金属有机化学气相沉积法，可以直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长，从而实现1nm及更先进制程的制造。

　　以往ASML公布EUV光刻机在1nm即将面临极限之后，很多国内半导体厂商纷纷奔走相告，认为这是西方芯片产业即将走入停滞的标志。同时国产半导体产业也认为这是一个缩小差距，快速追赶上世界主流技术的一个良机。

　　但是随着朱佳迪在原子级薄晶体管上取得的突破，意味着以往ASML走入的“死路”之外又开辟出了一条新的道路，而这条道路甚至有机会解决1nm及更先进制程的难关。

　　此时不得不想起华为创始人任正非昔日发出的警告——最大的敌人往往来自内部。情况也确实是这样，在过去几十年的发展过程中，国产科技取得了突飞猛进的发展，中国也成长为全球第二大经济体。但是随着传统制造业逐渐走向发展的尽头，进行产业升级、提升全民收入则成为当下的要务。

　　但遗憾的是最为重要的人才却始终难以吸引到。不仅仅是研究出原子级薄晶体管的朱佳迪，全球顶尖的100位材料学家中，前6名全是华人，其中五人都是毕业于中国科学技术大学，但遗憾的是他们如今全部都没有在内地从事相关研究，培养出了人才却留不住人才，这实在是一个值得令人深思和反省的问题。

　　而如清华、北大这样的顶级学府，其出国校友仅有半数左右回国工作，这也就意味着有半数左右的优秀人才留在了海外。我们以前注重的是人才的培养，但是如今看来如何留住人才同样是一个值得思考的问题。否则培养的人才变成了我们的竞争对手，这也是国产科技发展的一种损失。