小小一颗芯片，已经成为超级大国之间技术交锋的终极竞赛。谁能掌握芯片制造技术，谁就能在未来数字产业发展的浪潮中掌握更多的话语权和主动权。从某种角度来说，芯片也决定了一个国家未来科技发展的前景。正是如此，各国、各大芯片厂在芯片领域呈现出了一种激进的样貌。

　　作为芯片最基础构建块，晶体管的数量决定着一款芯片性能的强弱，功耗的高低。更先进的EUV光刻机，其实就是为了将更多的晶体管塞进一颗拇指般大小的芯片。

　　不过当芯片工艺来到7nm、5nm商用阶段，对于ASML来说，光刻机的精度基本已经达到了物理极限，通过提升光刻机精度将晶体管做小的难度也就越来越多。为解决这一问题，各大晶圆厂都是通过修改晶体管栅极形态，来实现制造工艺方面的提升，而栅极的大小就等同于芯片的制造工艺。

　　晶体管的结构由三部分组成，分别为源极、栅极、漏极，电流会从源极流向漏极，栅极相当于一个开关或闸门，用来控制电流是否通过，而栅极也是晶体管中最重要的部分。早期控制栅极开关的方式是电场，所以也叫场效应晶体管，也就是我们简称的FET，就像河流中的大坝一样，落下来就能阻挡电流的通过。这是20nm及成熟工艺芯片主流的应用技术。

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