是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有

　　有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型

　　具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起

　　有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道

　　音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型

　　。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型

　　如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET

　　测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。 另外，还可以用触发栅极（P沟道

　　来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的

　　放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、

　　放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、

　　si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是

　　实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指

　　的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型

　　。4）计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在

　　这种器件也是有PN结构成的，它几乎只利用半导体中的一种载流子来导电，故又称单极性

　　。特点是输入电阻高，有10^7~10^15欧，所以外部的电压几乎全部会加在管子内部，而 不用考虑外部电源

　　本帖最后由 Q~Cookies 于 2012-7-28 23:32 编辑

　　的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流

　　，采用自偏置结构，即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻，在电源和漏极接一个负载，此时

　　可以看做是一个互导放大器，压控电流源，请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求

　　越大，而另一方面，漏源之间电压越大，沟道电阻也越大，两者相互作用，电流不随有很大的变化达到平衡。此时

　　，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。

　　也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体

　　在平面设计中，浇口仅控制一个方向。在 3D 设计中，门缠绕在鳍片周围，提供两个或三个方向的控制（图

　　（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一种电极介质驱动的

　　之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS

　　是电流控制电流型的.一般不可以直接代换的除非稍微改变一下电路结构。二、

　　的参数有很多，其中包括直流参数、交流参数和极限参数等，但普通运用时只需关注

　　一般用于开关作用，有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等，应用场

　　PNP和NPN两种，一般在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应优先选用三极

　　随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——

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　　的未来发展前景FinFET在5nm之后将不再有用，因为它没有足够的静电控制，需要

　　的新架构。然而，随着技术节点的进步，一些公司可能会出于经济原因决定在同一节点上

　　有其共同的优点，例输入阻抗高，噪声低，热动摇性好等，在我们的运用中也是屡见不鲜。我们知道

　　能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道

　　的两种元器件，它们都是半导体器件，用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能有一些相似之处，但它们也有很多明显的不同点。下面将会详细