放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态凯时kb88账号注册，那么在处于ON状态时凯时kb88账号注册，这两者有什么区别呢？

　　MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，三极管通常用饱和Vce凯时kb88账号注册。那么是否存在能够反过来的情况凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，三极管用饱和Rce凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，而MOSFET用饱和Vds呢？

　　三极管ON状态时工作于饱和区凯时kb88账号注册，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定凯时kb88账号注册，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定凯时kb88账号注册，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，所以三极管一般用饱和Vce表示凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册。

　　MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，与三极管相似凯时kb88账号注册，电流Ids由Vgs和Vds决定凯时kb88账号注册，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变硅靶视象管凯时kb88账号注册，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下多次抽样凯时kb88账号注册，导通阻抗Rds基本保持不变凯时kb88账号注册，所以MOS管采用Rds方式。

　　电流可以双向流过MOSFET的D和S凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，正是MOSFET这个突出的优点凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，让同步整流中没有DCM的概念凯时kb88账号注册，能量可以从输入传递到输出凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，也可以从输出返还给输入凯时kb88账号注册。能实现能量双向流动凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册。

　　接下来我们往深入一点来进行讨论凯时kb88账号注册，第一点凯时kb88账号注册、MOS的D和S既然可以互换凯时kb88账号注册，那为什么又定义DS呢？

　　对于IC内部的MOS管凯时kb88账号注册，制造时肯定是完全对称的凯时kb88账号注册，定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。

　　对于功率MOS，有时候会因为特殊的应用，比如耐压或者别的目的凯时kb88账号注册，在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压凯时kb88账号注册，此时D,S会有不同凯时kb88账号注册。

　　第三点凯时kb88账号注册、D和S互换之后凯时kb88账号注册，MOS表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如Vth、弥勒效应、寄生电容凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册、导通电阻、击穿电压Vds。

　　DS互换后，当Vgs=0时，只要Vds>

　　0.7V管子也可以导通,而换之前不能凯时kb88账号注册。当Vgs>

　　Vth时凯时kb88账号注册，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同。

　　我们只是说电流可以从D--to--S 基线漂移，也可以从S----to---D凯时kb88账号注册。但是并不意味着：D和S 这两个端子的名字可以互换凯时kb88账号注册。

　　将原来是D的认为是S ，并且给G和这个S施加电压，结果沟道并不变化凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，仍然是关闭的。

　　当Vgs没有到达Vth之前，通过驱动电阻R对Cgs充电增强型场效晶体管，这个阶段的模型就是简单的RC充电过程凯时kb88账号注册。

　　当Vgs充到Vth之后凯时kb88账号注册，DS导电沟道开始开启凯时kb88账号注册，Vd开始剧烈下降。按照I=C*dV/dt,寄生电容Cgd有电流流过 方向：G-->

　　D。按照G接点KCL Igd电流将分流IR凯时kb88账号注册，大部分驱动电流转向Igd凯时kb88账号注册凯时kb88账号注册，留下小部分继续流到Cgs。因此凯时kb88账号注册，Vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台凯时kb88账号注册。