斥资120亿美元！台积电在美国芯片厂终于开始动工
据路透社报道，芯片代工商台积电6月1日表示，该公司斥资120亿美元的新芯片工厂已经在美国亚利桑那州凤凰城开工建设。
去年11月，凤凰城官员批准了对该项目的财政激励和政府支持措施。根据市议会通知，该市同意提供约2亿美元建设道路、下水道等基础设施。
据悉，台积电2020年5月15日宣布在美国建设芯片工厂计划，该工厂将采用5纳米制程技术生产半导体芯片，计划2021年开始建设，2023年正式装机试产，2024年开始量产，规划月产能为20000片晶圆。2021年至2029年期间，该公司计划向这一工厂投资120亿美元。
另外台积电高管还指出，下一代3纳米制程技术芯片正在按计划推进，目标是在明年下半年开始量产。今年台积电的投资将会达到300亿美元，未来3年总计达到1000亿美元。
前不久美国宣布推出高达540亿美元的半导体扶持计划，除了英特尔之外，三星、台积电也在积极争取这份高额补贴，台积电在美国建厂的计划有可能扩大，最终将建设6座晶圆厂。
市场研究公司TrendForce的数据显示，2021年第一季度，全球十大芯片制造公司的季度总营收飙升至227.5亿美元，创纪录新高。
“随着各种终端设备的需求飙升，各大制造商都加快了组件采购、提升了产能，并提高晶圆价格和调整产品类别，以便在自2020年以来的芯片短缺背景下确保盈利。”TrendForce分析师表示。在这一背景下，TrendForce预计，今年第二季度全球芯片制造公司收入将再创新高。
任天堂今天透露其下一代Wii U将使用AMD的图形处理器，PC硬件网站HardOCP还爆料称接下来索尼的下一代PS和微软的下一代Xbox也都将采用来自AMD开发的某种图形芯片。如果消息属实，最大竞争对手NVIDA将被逼到游戏机市场的边缘。目前索尼为PS3开发GPU，而微软和任天堂均采用AMD芯片。 任天堂还透露，Wii U将在2012年的某个时候发布，核心将会基于IBM的PowerPC处理器，微软一方则有消息称会延迟推出下一代游戏机，因为目前销售的Kinect相当成功，推新品还没有到时候。 至于索尼的下一代PS，我们能听到的依然是AMD APU的变体和32nm IBM Cell处理器之间摇摆不定的选择，索尼将“很快
最近美国司法部公布了联华电子、福建晋华集成电路有限公司以及三位个人的起诉书，状告他们合谋窃取美国半导体公司美光(Micron)有关记忆存储设备产品研发的商业机密。美方消息显示，由于这两家企业涉嫌窃取的技术产权价值超过87.5亿美金，联华与晋华恐面临200亿美金罚款。 据报道，在这次的晋华事件中， 美国司法部认为，晋华、联电声称自主开发的 DRAM 技术中所掌握到的一些元件特性是通过逆向工程（Reverse Engineering）获得，尤其是一些器件电学特性的掌握，必须要经过多次、反复的实验才能获得达标的结果，但晋华、联电在很短的时间内获得达标结果，美方据此认为晋华、联电有非法取得技术的嫌疑。 美方指控的这个重要理
启动反垄断调查，一方面是获得了“实锤”证据，甚至不排除，三星、SK海力士、美光之中出现“污点证人”的情况。另一方面，这次反垄断调查，也标志着中国存储芯片即将吹响反攻的号角。国产存储芯片若想复制京东方的成功，还需要时间和耐心。 不久前，媒体报道中国反垄断机构启动了对于三星、海力士、美光三家存储芯片巨头的反垄断调查。媒体推测，如裁定三大巨头存在价格垄断行为，以2016-2017年度销售额进行处罚，那么罚金将在8亿美元-80亿美元之间。 在三星Note7手机接连自燃之后，存储芯片价格疯涨，即便是房价也赶不上存储芯片的上涨速度。内存条价格最高时一度翻了4倍，固态硬盘价格最高时，接近涨价前的2倍。这使中国消费者和整机厂
如果说华尔街对芯片行业从繁荣迅速转向萧条还存在任何怀疑的话，那么手机芯片制造商高通等公司对金融前景做出出人意料的悲观预测应该会消除这种怀疑。 据英国《金融时报》网站11月13日报道，高通首席财务官阿卡什·帕尔基瓦拉本月对分析人士说：“这可以说是短时间内发生的前所未有的变化。我们从供应短缺时期进入了需求下降时期。” 由于消费支出疲软影响了智能手机的销售，高通公司将本季度的营收指导数据大幅下调25%。在高通做出这一预测的同时，一些主要芯片制造商发布了疲软程度出人意料的销售和盈利预期，并表示未来将启动一轮裁员。 美国超威半导体公司提醒称，本季度其个人电脑处理器的销售额将同比下降40%。英特尔公司表示，计划到2025年削减10
摘要：介绍了VFD显示驱动和控制芯片TP6312F的组成结构、性能特点和编程指令，对TP6312F驱动的VFD在电磁炉显示电路中的应用做了详细论述，给出了该应用系统的硬件电路和软件流程。 关键词：家用电器；VFD；TP6312F 真空荧光显示屏ＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）是１９６６年日本发明的一种自发光平板显示器件，现已在工业、商业特别是家用电器数字化产品领域得到了广泛应用。ＶＦＤ是一种特殊变体的三级真空管，其电子从负极（灯丝）发射出来，通过栅网加速后撞击正极表面附着的磷光体从而发光。ＶＦＤ的主要性能是：自动发光、高清晰度和高亮度显示、低压操作、低功耗、可靠且使用寿命长、有从红色到蓝色多种
Radstone旗下Interactive Circuits and Systems(ICS)公司日前宣布推出16通道风冷式6U尺寸的VME总线美元(仅供参考)，可通过板上两个Analog Devices的AD9260转换芯片实现模拟信号的转换和调理。AD9260是一种开关电容CMOS过采样A/D转换芯片。 AD9260可使该ICS-8145采集卡的16个通道同时采样，这些芯片能为每个通道提供20MS/s的采样率，数据输出速率根据所选择的过采样率(可选8或4)而定。 AD9260还能提供高动态范围的性能指标，尤其是工作在8X过采样率的状态下。该芯片在片上集成了sigma-de
当人们津津乐道三星的手机业务或者是电视业务时，它已静悄悄地拿下了芯片行业的第一，并且凭借着在芯片上的巨大获利让老对手们眼红。2017年第二季度(4～6月)三星的营业利润达126.7亿美元，同比增长72.7%。净利润约合99.3亿美元。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 在分析师的预期中，这组数据将超过即将发布季报的苹果，实现三星在单季利润上的首次逆袭。 从起初日本企业背后的“好学生”，到垂直整合模式的“最佳代言人”，三星在半导体业务上蓄势已久，凭借着大规模精密制造而形成的绝对性价比优势，三星早在2011年就在存储芯片领域和闪存领域拿下了销售额利润的双料第一。这种来自于供应链的优势也让三星成为科技行业的“全民公敌”。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是目前发展最快的 功率半导体 器件之一，广泛应用于轨道交通、 智能电网 、汽车工业和新能源装备等领域，具有高 输入阻抗 和低导通压降等优点。 IGBT模块 同时具备节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。作为能量转换和传输的核心装置，IGBT也是新能源汽车 电机驱动 部分最核心的元件。 大家好，这里是盖世汽车。 本期内容，我们主要聚焦在功率半导体的国产化。总体来看，高端IGBT自给率偏低，但随着 第三代半导体 发展即在材料创新方面，有望创造出弯道超车的机会。 功率半导体被称为是“电力电子装置的 CPU ”，用途包括功率转换、功率放大、功率开关、逆变、整流等。同一产品里，不同零部件所需的电压
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